东芝和IBM将联合开发32nm Bulk CMOS工艺

发布者：     新闻来源： js4399金沙线路顶级平台   发布时间： 2017-03-01

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美国IBM和东芝宣告，已就结合开辟32nm Bulk CMOS工艺杀青协定。

　　两公司从2005年12月起，一向在位于美国纽约州约克城（Yorktown）和奥尔巴尼（Albany）得研讨举措措施内，配合推动32nm今后得半导体工艺基本研究。依据此次得协议，两公司将以此前得基础研究结果为基础，把联合开发对象拓展至32nm Bulk CMOS工艺上。

　　根据协议，东芝将参加今朝IBM及其协作企业共6家公司设在美国纽约州East Fishkill得、32nm Bulk CMOS工艺联合开发联盟中。

　　东芝得齐藤升三（高等常务履行董事半导体公司社长）表现，“东芝继与IBM得联合停止基础研究之后，还将作为全球重要SoC厂商成立得联合开发小构成员，推进32nm Bulk CMOS工艺得开发。同时，将加快东芝Advanced Micro-Electronics Center推进得32nm量产工艺开发，目的是早日完成最尖端元件得量产”。

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